
三星电子20日表示,已完成开发二代10奈米鳍式场效电晶体的制程技术,将有助该公司争取更多的晶圆代工业务合作伙伴。
韩联社报导,三星表示,虽然先前已开发出业界第一代的10奈米FinFET技术,但新发展的第二代技术将使性能表现提高10%,省电效率也提高15%。
三星已在自家的Exynos 9处理器与高通的Snapdragon 835采用第一代技术。
三星表示,正寻求分散晶圆代工客户,同时将自家技术运用于更广泛的产业,包括穿戴、物联网与网络领域。
三星表示,已计划第4季让首尔南方地区的华城厂扩厂,以稳定供应晶片。