三星宣布量产最新V-NAND晶片 砸逾300亿美元扩厂
韩国三星电子4日表示，旗下在京畿道省平泽市的晶片厂已全面准备生产最新64层3D VNAND 快闪记忆体，以满足市场的强劲需求。
三星表示，最新一代晶片制程将量产64层256Gb的3D VNAND快闪记忆体，藉此满足消费者以超速和超效能储存装置来驱动行动装置和个人电脑的需求。三星企图于今年底前将此款记忆体制程与目前48层快闪记忆体均成为主流版本。
三星股价今天涨近1%，报每股237.2万韩元。
三星电子副会长权五铉和半导体事业总裁金奇南在内等高层主管和厂区员工，4日一同为该记忆体量产举行庆祝活动。三星平泽晶片厂已是全球最大晶片厂，而三星到2021年将在该厂再挹注达37兆韩元的资金。
除了扩增平泽厂，三星也将投资6兆韩元在华城厂新增极紫外光微影设备的产线。
