三星扩产NAND Flash 研调估恐过剩
三星(Samsung)今年资本支出将倍增至260亿美元，其中，又将以3D NANDFlash为最大宗，研调机构IC Insights认为，3D NANDFlash恐将供过于求。
IC Insights预估，今年全球半导体资本支出金额将达908亿美元，将成长35%；其中，三星今年资本支出将倍增至260亿美元，比英特尔与台积电的总和还多。
三星今年的资本支出主要投入3D储存型快闪记忆体，将达140亿美元，IC Insights指出，三星将斥资70亿美元，推进动态随机存取记忆体制程技术，并弥补因制程转换造成的产能损失。
在晶圆代工方面，IC Insights表示，三星将投入50亿美元扩增10奈米制程产能。
除三星投入巨额资本支出，SK海力士与美光等三星竞争对手资本支出也将显着增加，IC Insights认为，这恐将引发3D NAND Flash市场供过于求。
