镁光与英特尔携手开发第三代3D NAND 年底完成

美商半导体大厂镁光日前和英特尔（Intel）携手合作，完成第三世代3D NAND技术的开发工作，此项技术将于今年年底交付，并将展延至2019年初。在第三技术世代后，两家公司将各别独自开发3D NAND技术，将有助于两家公司发展业界领先的NAND技术，并且上市。

目前两公司正以第二世代3D NAND（64层）技术进行生产，未来将在犹他州的Lehi合资晶圆厂 (Intel-Micron Flash Technologies) 继续共同开发及制造3D Xpoint产品。

镁光技术研发执行副总裁Scott DeBoer表示，镁光与英特尔有长期的合作关系，当双方在未来NAND 技术上将各自发展的同时，期待继续在其他专案上共同合作。镁光的3D NAND技术开发的蓝图实力坚强，计画将以业界领先的3D NAND技术，在市场上推出极具竞争力的产品。

Intel非挥发性​内存解决方案事业群资深副总裁暨总经理Rob Crooke说，英特尔与镁光在NAND共同开发关系中已到了一个适当时机，现在正是两家公司寻求各自聚焦市场的时候。英特尔的3D NAND和Optane技术蓝图为客户提供强大的解决方案，以满足当前对运算和储存需求。